5月9日，中华人民共和国信息产业部刊登了南昌欣磊光电科技有限公司与南昌大学发光中心合作的招标项目通过验收的文章，全文如下：
南昌欣磊光电科技有限公司与南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心（以下简称“南昌大学发光中心”）合作，采用硅衬底制造GaN基发光二极管技术研发方面取得重大突破，成功实现产业化，取得阶段性成果。该开发项目获得了2004年度电子发展基金“半导体照明高亮度功率白光二极管芯片开发及产业化”招标项目支持，于4月29日通过项目验收。
“南昌大学发光中心”自主创新的在硅衬底生长GaN基外延材料的技术，有效地解决了GaN外延层与硅衬底之间的晶格失配和热失配等问题，通过衬底转移技术制备了垂直结构的高性能LED芯片，研发的功率型白光LED发光效率达到40 流明/瓦，光效明显提高。目前该项技术授权发明专利7项，授理专利47项。南昌欣磊光电科技有限公司采用该技术开发的大生产技术，开发期内生产硅衬底蓝色LED芯片2.3亿只，实现了产业化目标。
为进一步推进硅衬底技术产业化进程，“南昌大学发光中心”获得金沙江、淡马锡等国际风险投资公司的5000万美元投资，组建了晶能光电（江西）有限公司，专门从事硅衬底GaN基LED外延材料与芯片生产。目前一期工程于2007年11月开始量产，形成了年产30亿粒芯片的产能，预计到2008年底投资达到9000万美元，产能将达到100亿粒。
硅衬底GaN基LED技术是我国自主创新的具有知识产权的核心技术，在国际范围内率先进行量产；通过产学研相结合，成功实现了技术创新成果的产业化，对推动我国半导体照明产业实现跨越式发展具有重要意义。
相关网站连接:
http://www.mii.gov.cn/art/2008/05/08/art_2001_37247.
