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  • 新华网等:南昌建成中国自主知识产权半导体企业
  • 作者:沈洋摄影:沈洋
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  • 发布时间:2008-05-04字体:[
  • 5月2日,新华网、搜狐、网易、QQ等知名网站刊登南昌市依托我校江凤益教授科研成果建成中国自主知识产权半导体企业的新闻,全文如下:
    新华网南昌5月2日电(记者沈洋)具有自主知识产权的新兴半导体生产企业――晶能光电(江西)有限公司一期工程日前在南昌正式竣工并投产。
    晶能光电(江西)有限公司是以南昌大学江凤益教授研发的“硅衬底蓝光二极管材料及器件”技术为依托,由金沙江、永威投资、淡马锡等国际风险投资公司注册资金5000万美元,总投资30亿元人民币建立的专门硅衬底LED外延材料与芯片生产的高科技企业。
    晶能光电一期项目于4月30日正式投产,年生产能力达到30亿粒LED芯片。据悉,晶能光电是世界上为数不多的在硅上生长氮化镓的公司之一,且产品具有完整自主知识产权。其研制成功,改变了美日等发达国家垄断LED核心技术的局面。
    据介绍,晶能光电二期投资9亿元人民币,将实现年产100亿粒蓝、绿光LED芯片,力争成为全球具有竞争力的蓝绿色发光二极管生产企业之一。三期投资15亿元人民币,建设LED大功率照明应用产品及产业集群,吸引全球半导体上下游配套产业在南昌集聚。

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